RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
3372
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link