RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
2920
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link