RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
77
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
77
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
11.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1517
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link