RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
37
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2809
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link