Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 37

Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.8 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 16.8
Скорость записи, Гб/сек

8.6 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2395 3405

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905598-039.A00G 16GB

Kingston 9905598-039.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905700-053.A00G 8GB

Kingston 9905700-053.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Kingston 99U5743-031.A00G 16GB

Kingston 99U5743-031.A00G 16GB

модули RAM