RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2740
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link