RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
38
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2856
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link