RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
4039
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link