RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3491
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link