RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3258
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link