RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3033
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link