RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2354
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link