RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2545
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link