RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около -6% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2179
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-H9 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link