RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2088
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link