Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Kingston 9905713-019.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 38

Около 3% меньшая задержка

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905713-019.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.3 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 38
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 16.3
Скорость записи, Гб/сек

8.6 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2395 3332

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

модули RAM

Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB

Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB

A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 9965690-002.A00G 8GB

Kingston 9965690-002.A00G 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB

модули RAM