RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2620
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link