RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2247
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team--Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link