RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
57
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
57
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2377
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link