Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 59

Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.9 9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.6 7.6

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 59
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 9.0
Скорость записи, Гб/сек

8.6 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2395 2128

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Kingston KHX2133C14/8G 8GB

Kingston KHX2133C14/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

модули RAM