RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
37
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2960
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link