RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3866
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link