Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB против Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 27
    Около -4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.9 left arrow 13
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.5 left arrow 9.3
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.0 left arrow 13.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.3 left arrow 9.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2031 left arrow 2432
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения