Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 28

Около 4% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20.7 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.7 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 20.7
Скорость записи, Гб/сек

8.0 17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2083 4048

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

модули RAM

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 9905712-035.A00G 16GB

Kingston 9905712-035.A00G 16GB

модули RAM