RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3495
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link