RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3026
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link