RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
36
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2963
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link