RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
36
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3668
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link