RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2704
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link