RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около -3% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
10.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2327
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link