RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2764
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link