RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
36
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2812
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link