Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 43

Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 12.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.7 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 43
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 12.2
Скорость записи, Гб/сек

9.5 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2292 2501

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Kingston 9905678-026.A00G 8GB

Kingston 9905678-026.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB

модули RAM