Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Средняя оценка

Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB

Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.5 8.7

Среднее значение в тестах

Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB

Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 36

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 14.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 22
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 16.1
Скорость записи, Гб/сек

9.5 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2292 2633

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB

Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB

модули RAM