Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Средняя оценка

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 46

Около 22% меньшая задержка

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Причины выбрать
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.9 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.8 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 46
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 15.9
Скорость записи, Гб/сек

9.5 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2292 2936

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Kingston 9905702-121.A00G 8GB

Kingston 9905702-121.A00G 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB

SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Kingston 9905700-046.A00G 16GB

Kingston 9905700-046.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905625-036.A00G 16GB

Kingston 9905625-036.A00G 16GB

модули RAM