RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
46
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2936
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link