RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
74
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
74
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
1616
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link