RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
61
Около -61% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
14.1
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
2569
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link