RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
61
Около -144% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
3187
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link