RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
61
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
3029
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link