RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
61
Около -154% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
2196
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link