RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
61
Около -110% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
18.8
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
3611
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link