RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
54
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2852
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link