RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3784
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link