RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3739
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link