RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
54
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3559
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link