RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2982
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link