RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3300
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link