RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3666
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link