Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.8

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 54

Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.7 1,308.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 30
Скорость чтения, Гб/сек

3,573.5 18.8
Скорость записи, Гб/сек

1,308.1 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

371 3394

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400 1GB

Corsair CM2X1024-6400 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB

Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM