RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.8
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
13.2
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1699
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link